IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29A
Version: ESD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 164.46 грн |
| 4+ | 136.59 грн |
| 10+ | 121.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 73W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.
Інші пропозиції IPP80R450P7XKSA1 за ціною від 116.45 грн до 236.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPP80R450P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 73W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 235.05 грн |
| 10+ | 162.48 грн |
| 100+ | 116.45 грн |
| IPP80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 236.46 грн |
| 87+ | 163.46 грн |
| 121+ | 117.16 грн |
| IPP80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





