Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP80R450P7XKSA1
IPP80R450P7XKSA1

IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29A
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.33 грн
9+112.68 грн
24+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 73W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.

Інші пропозиції IPP80R450P7XKSA1 за ціною від 60.06 грн до 244.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP80R450P7XKSA1 IPP80R450P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP80R450P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 470 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+222.47 грн
10+140.73 грн
100+84.08 грн
500+68.47 грн
1000+63.81 грн
2500+61.56 грн
5000+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 IPP80R450P7XKSA1 Infineon Technologies 2360941076657080infineon-ipp80r450p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46255dd933d0155e4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.90 грн
10+167.91 грн
100+120.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 IPP80R450P7XKSA1 Infineon Technologies 2360941076657080infineon-ipp80r450p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46255dd933d0155e4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+244.36 грн
87+168.92 грн
121+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 IPP80R450P7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 Infineon_IPP80R450P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPP80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 470 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.47 грн
10+140.73 грн
100+84.08 грн
500+68.47 грн
1000+63.81 грн
2500+61.56 грн
5000+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 2360941076657080infineon-ipp80r450p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46255dd933d0155e4.pdf
IPP80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+242.90 грн
10+167.91 грн
100+120.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 2360941076657080infineon-ipp80r450p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46255dd933d0155e4.pdf
IPP80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+244.36 грн
87+168.92 грн
121+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 INFN-S-A0004583394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP80R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.