IPP80R450P7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 197.05 грн |
| 50+ | 94.34 грн |
| 100+ | 86.57 грн |
| 500+ | 64.27 грн |
| 1000+ | 59.30 грн |
| 2000+ | 55.38 грн |
| 5000+ | 54.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80R450P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP80R450P7XKSA1 за ціною від 105.41 грн до 162.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IPP80R450P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPP80R450P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP80R450P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP80R450P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 162.22 грн |
| 10+ | 141.01 грн |
| 25+ | 138.78 грн |
| 100+ | 105.41 грн |