Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP80R600P7XKSA1

IPP80R600P7XKSA1

infineon-ipp80r600p7-ds-en.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c108f62163d06
Код товару: 183982
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP80R600P7XKSA1 за ціною від 48.41 грн до 191.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP80R600P7XKSA1 IPP80R600P7XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipp80r600p7_datasheet_en.pdf MOSFETs
на замовлення 56 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+191.12 грн
10+121.11 грн
100+71.67 грн
500+60.85 грн
1000+53.90 грн
2500+50.97 грн
5000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 IPP80R600P7XKSA1 INFINEON 2327429.pdf Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 infineon_ipp80r600p7_datasheet_en.pdf
IPP80R600P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs
на замовлення 56 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.12 грн
10+121.11 грн
100+71.67 грн
500+60.85 грн
1000+53.90 грн
2500+50.97 грн
5000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 2327429.pdf
IPP80R600P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.