Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP80R750P7

IPP80R750P7 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP80R750 - 800V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80R750P7 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 4.6A, Power dissipation: 51W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.75Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 17nC, Version: ESD.

Інші пропозиції IPP80R750P7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP80R750P7XKSA1 IPP80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP80R750P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1 IPP80R750P7.pdf
IPP80R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.