IPP80R750P7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80R750P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP80R750P7XKSA1 за ціною від 42.19 грн до 112.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 51W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
800V CoolMOS P7 Power Transistor |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPP80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 51W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 17nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: PG-TO220-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPP80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 51W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 17nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: PG-TO220-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |