IPP80R750P7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80R750P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPP80R750P7XKSA1 за ціною від 104.31 грн до 166.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPP80R750P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Y
MOSFETs Y
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.10 грн |
| 10+ | 144.28 грн |
| 500+ | 105.72 грн |
| 1000+ | 105.02 грн |
| 5000+ | 104.31 грн |