Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP80R900P7XKSA1
IPP80R900P7XKSA1

IPP80R900P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp80r900p7-ds-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 10297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
345+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 345 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80R900P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 45W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm.

Інші пропозиції IPP80R900P7XKSA1 за ціною від 37.91 грн до 82.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP80R900P7XKSA1 IPP80R900P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP80R900P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 538 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+82.07 грн
10+74.16 грн
100+59.01 грн
500+48.20 грн
1000+43.54 грн
2500+40.77 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1 IPP80R900P7XKSA1 INFINEON infineon-ipp80r900p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPP80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1 Infineon_IPP80R900P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPP80R900P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 538 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.07 грн
10+74.16 грн
100+59.01 грн
500+48.20 грн
1000+43.54 грн
2500+40.77 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1 infineon-ipp80r900p7-ds-en.pdf
IPP80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.