IPP90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 175+ | 69.95 грн |
| 500+ | 69.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP90R1K2C3XKSA2 за ціною від 67.50 грн до 159.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPP90R1K2C3XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IPP90R1K2C3XKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
| IPP90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Mosfet |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
IPP90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IPP90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IPP90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IPP90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |