Продукція > INFINEON > IPP90R1K2C3XKSA2

IPP90R1K2C3XKSA2 INFINEON

Name: IPP90R1K2C3XKSA2
Brand: INFINEON
SKU: 27184967-6
Price: 908.94 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	151.49 грн
10+	104.56 грн
100+	83.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPP90R1K2C3XKSA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPP90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP90R1K2C3XKSA2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPP90R1K2C3XKSA2	Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS	Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP90R1K2C3XKSA2 - XPP90R1 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 900V 5. tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IPP90R1K2C3XKSA2	Виробник : Infineon Technologies	Power Mosfet	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP90R1K2C3XKSA2	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP90R1K2C3XKSA2	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET LOW POWER_LEGACY	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.