Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP90R340C3XKSA1
IPP90R340C3XKSA1

IPP90R340C3XKSA1 Infineon Technologies

ipp90r340c3_1.11.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+184.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP90R340C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP90R340C3XKSA1 за ціною від 228.19 грн до 228.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP90R340C3XKSA1 IPP90R340C3XKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP90R340C3XKSA1 - IPP90R340 - 900V COOLMOS POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+228.19 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA1 IPP90R340C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14 Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA1 IPP90R340C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en-522818.pdf MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA1 IPP90R340C3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC5834C20FF4FA8&compId=IPP90R340C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7443b690fced3930834b5935b4175d89c5d2df1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.