IPP90R340C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 183.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP90R340C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP90R340C3XKSA1 за ціною від 226.48 грн до 226.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP90R340C3XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP90R340C3XKSA1 - IPP90R340 - 900V COOLMOS POWER MOSFETtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IPP90R340C3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 900V Drain current: 9.5A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IPP90R340C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IPP90R340C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3 |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IPP90R340C3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 900V Drain current: 9.5A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
товару немає в наявності |