Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP90R800C3XKSA2
IPP90R800C3XKSA2

IPP90R800C3XKSA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8b1344d5c34 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.39 грн
10+155.75 грн
100+123.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP90R800C3XKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP90R800C3XKSA2 за ціною від 64.75 грн до 221.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP90R800C3XKSA2 IPP90R800C3XKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8b1344d5c34 MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.15 грн
10+188.34 грн
25+99.33 грн
100+89.47 грн
500+69.76 грн
1000+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R800C3XKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8b1344d5c34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 900V; 6.9A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R800C3XKSA2 Виробник : Infineon Technologies ipp90r800c3_1.0.pdf Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.