IPQC60R010S7AXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1477.47 грн |
| 10+ | 1062.34 грн |
| 100+ | 975.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPQC60R010S7AXTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPQC60R010S7AXTMA1 за ціною від 1114.55 грн до 1949.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPQC60R010S7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPQC60R010S7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IPQC60R010S7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |