Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPQC60R017S7AXTMA1
IPQC60R017S7AXTMA1

IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+637.35 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPQC60R017S7AXTMA1 за ціною від 670.03 грн до 949.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPQC60R017S7AXTMA1 IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6 Description: MOSFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.85 грн
10+774.58 грн
100+670.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPQC60R017S7A_DataSheet_v02_00_EN-3132450.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 IPQC60R017S7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6 Description: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 IPQC60R017S7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6 Description: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6
IPQC60R017S7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+949.85 грн
10+774.58 грн
100+670.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon_IPQC60R017S7A_DataSheet_v02_00_EN-3132450.pdf
IPQC60R017S7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6
IPQC60R017S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6
IPQC60R017S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.