Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPQC60R017S7XTMA1
IPQC60R017S7XTMA1

IPQC60R017S7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPQC60R017S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c72bd6cf3 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+947.81 грн
10+801.74 грн
100+676.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPQC60R017S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V.

Інші пропозиції IPQC60R017S7XTMA1 за ціною від 718.03 грн до 1212.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPQC60R017S7XTMA1 IPQC60R017S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPQC60R017S7_DataSheet_v02_00_EN-3132389.pdf MOSFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1212.77 грн
10+1053.31 грн
25+890.91 грн
50+841.62 грн
100+792.33 грн
250+767.32 грн
500+718.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7XTMA1 IPQC60R017S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipqc60r017s7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7XTMA1 IPQC60R017S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPQC60R017S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c72bd6cf3 Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.