Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPQC60T010S7AXTMA1
IPQC60T010S7AXTMA1

IPQC60T010S7AXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPQC60T010S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501924256b5b2017a
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+946.71 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPQC60T010S7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 694W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.

Інші пропозиції IPQC60T010S7AXTMA1 за ціною від 886.98 грн до 1468.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPQC60T010S7AXTMA1 IPQC60T010S7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPQC60T010S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501924256b5b2017a Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1468.06 грн
10+1130.57 грн
25+1059.88 грн
100+921.74 грн
250+886.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7AXTMA1 IPQC60T010S7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPQC60T010S7A_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7AXTMA1 IPQC60T010S7AXTMA1 INFINEON 4421056.pdf Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7AXTMA1 IPQC60T010S7AXTMA1 INFINEON 4421056.pdf Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7AXTMA1 Infineon-IPQC60T010S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501924256b5b2017a
IPQC60T010S7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1468.06 грн
10+1130.57 грн
25+1059.88 грн
100+921.74 грн
250+886.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7AXTMA1 Infineon_IPQC60T010S7A_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPQC60T010S7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7AXTMA1 4421056.pdf
IPQC60T010S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7AXTMA1 4421056.pdf
IPQC60T010S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.