Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPQC60T010S7XTMA1
IPQC60T010S7XTMA1

IPQC60T010S7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPQC60T010S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921e4a0a0e3a3e
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1361.65 грн
10+1047.72 грн
25+981.85 грн
100+853.46 грн
250+821.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPQC60T010S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 694W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IPQC60T010S7XTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPQC60T010S7XTMA1 IPQC60T010S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPQC60T010S7_DataSheet_v02_00_EN-3531780.pdf MOSFETs CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7XTMA1 IPQC60T010S7XTMA1 INFINEON 4421054.pdf Description: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7XTMA1 Infineon_IPQC60T010S7_DataSheet_v02_00_EN-3531780.pdf
IPQC60T010S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7XTMA1 4421054.pdf
IPQC60T010S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.