IPQC60T010S7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1485.57 грн |
| 10+ | 1143.06 грн |
| 25+ | 1071.21 грн |
| 100+ | 931.12 грн |
| 250+ | 895.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPQC60T010S7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 694W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції IPQC60T010S7XTMA1 за ціною від 926.94 грн до 2364.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPQC60T010S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CoolMOS S7T with embedded temperature sensor |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPQC60T010S7XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 694W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPQC60T010S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V |
товару немає в наявності |