
IPS022G IR

Код товару: 27707
Виробник: IRКорпус: SOIC-8
Функціональний опис: DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
Напр.живлення: 4…6 V
Примітка: Rise Time:0.9us/Fall Time:1.3us
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 60.50 грн |
10+ | 49.50 грн |
100+ | 44.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS022G IR
- MOSFET, SMART SWITCH SO-8
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:47V
- On State Resistance:0.15ohm
- Power Dissipation:1W
- Transistor Case Style:SO
- No. of Pins:8
- Case Style:SO-8 (SOIC-8)
- Clamping Voltage:50V
- Cont Current Id:1A
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max ESD Protection Voltage:4kV
- Max Input Low Voltage:0.5V
- Min Input High Voltage:4V
- No. of Transistors:2
- Power Dissipation Pd:1W
- SMD Marking:IPS022G
- Shutdown Current:5A
- Shutdown Temperature:165`C
- Termination Type:SMD
- Transistor Type:Smart MOSFET
- Turn Off Time, t Off:1.5ms
- Turn On Time, t On:1.5ms
Інші пропозиції IPS022G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPS022G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPS022G | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товару немає в наявності |