Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPS031N03LGAKMA1
IPS031N03LGAKMA1

IPS031N03LGAKMA1 Infineon Technologies

IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: LV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS031N03LGAKMA1 Infineon Technologies

Description: LV POWER MOS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-11, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPS031N03LGAKMA1 за ціною від 38.31 грн до 40.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS031N03LGAKMA1 IPS031N03LGAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+40.57 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPS031N03LGAKMA1 IPS031N03LGAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS031N03LGAKMA1 IPS031N03LGAKMA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: LV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS031N03LGAKMA1 IPS031N03LGAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD031N03L-DS-v02_01-en_5b1_5d-1731752.pdf MOSFET N-Ch 30V 90A IPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.