Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IPS060N03LGAKMA1
IPS060N03LGAKMA1

IPS060N03LGAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS060N03LGAKMA1 - IPS060N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1429+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 1429
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS060N03LGAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-11, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPS060N03LGAKMA1 за ціною від 17.49 грн до 17.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS060N03LGAKMA1 IPS060N03LGAKMA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
IPS060N03LGAKMA1 IPS060N03LGAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD060N03LG-DS-v02_01-en[1]-1226028.pdf MOSFET N-Ch 30V 50A IPAK-3 OptiMOS 3
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS060N03LGAKMA1 IPS060N03LGAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 3391ipd060n03lg_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS060N03LGAKMA1 IPS060N03LGAKMA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.