IPS060N03LGAKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS060N03LGAKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-TO251-3-11, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.
Інші пропозиції IPS060N03LGAKMA1 за ціною від 21.14 грн до 21.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS060N03LGAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 30V 50A IPAK-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IPS060N03LGAKMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS060N03LGAKMA1 - IPS060N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1429 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IPS060N03LGAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPS060N03LGAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 50A IPAK-3 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 30V 50A IPAK-3 OptiMOS 3
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPS060N03LGAKMA1 |
|
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS060N03LGAKMA1 - IPS060N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS060N03LGAKMA1 - IPS060N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPS060N03LGAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 21.14 грн |