на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.11 грн |
| 10+ | 50.68 грн |
| 100+ | 33.77 грн |
| 500+ | 26.71 грн |
| 1000+ | 21.85 грн |
| 1500+ | 20.67 грн |
| 10500+ | 19.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies
Description: CONSUMER, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 49W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPS60R1K5CEAKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS60R1K5CEAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: CONSUMERPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |