IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 381+ | 57.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPS60R280PFD7SAKMA1 за ціною від 65.29 грн до 104.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS60R280PFD7SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IPS60R280PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon |
CoolMOS MOSFET N-Channel Enhancement Mode 650V 12A IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7S TIPS60r280pfd7s кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
IPS60R280PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IPS60R280PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BNX40SC00-1007 |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
IPS60R280PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPS60R280PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPS60R280PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
товару немає в наявності |