Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPS60R280PFD7SAKMA1
IPS60R280PFD7SAKMA1

IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPS60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5dc2db339cc
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
381+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 51W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm.

Інші пропозиції IPS60R280PFD7SAKMA1 за ціною від 52.38 грн до 99.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon TIPS60r280pfd7s_0001.pdf CoolMOS MOSFET N-Channel Enhancement Mode 650V 12A IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7S TIPS60r280pfd7s
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
8+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon Technologies infineonips60r280pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.35 грн
500+80.42 грн
1000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon Technologies infineonips60r280pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.35 грн
500+80.42 грн
1000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7SAKMA1 INFINEON INFN-S-A0009558016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 51W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.50 грн
12+73.43 грн
100+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R280PFD7SAKMA1 TIPS60r280pfd7s_0001.pdf
IPS60R280PFD7SAKMA1
Виробник: Infineon
CoolMOS MOSFET N-Channel Enhancement Mode 650V 12A IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7S TIPS60r280pfd7s
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R280PFD7SAKMA1 infineonips60r280pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPS60R280PFD7SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
396+89.35 грн
500+80.42 грн
1000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R280PFD7SAKMA1 infineonips60r280pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPS60R280PFD7SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
396+89.35 грн
500+80.42 грн
1000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R280PFD7SAKMA1 INFN-S-A0009558016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPS60R280PFD7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 51W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+99.50 грн
12+73.43 грн
100+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.