Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IPS60R2K1CEAKMA1

IPS60R2K1CEAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Infineon-IPS60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537af0473b761e Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R2K1CEAKMA1 - IPS60R2K1 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1253+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 1253
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS60R2K1CEAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: CONSUMER, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPS60R2K1CEAKMA1 за ціною від 26.78 грн до 58.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS60R2K1CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPS60R2K1CE-DS-v02_00-EN-1732070.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.71 грн
10+50.85 грн
100+33.84 грн
500+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R2K1CEAKMA1 IPS60R2K1CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPS60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537af0473b761e Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.