Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IPS60R360PFD7SAKMA1

IPS60R360PFD7SAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Infineon-IPS60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2294ceeb6794 Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R360PFD7SAKMA1 - IPS60R360PFD7S 600V COOLMOS PFD7 SUPERJ
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
576+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 576
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS60R360PFD7SAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPS60R360PFD7SAKMA1 за ціною від 30.77 грн до 90.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS60R360PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPS60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2294ceeb6794 Mosfet, N-Ch, 600V, 10A IPS60R360PFD7SAKMA1 IPS60R360PFD7S TIPS60r360pfd7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R360PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPS60R360PFD7S_DataSheet_v02_00_EN-1840569.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.59 грн
10+73.44 грн
100+49.64 грн
500+42.09 грн
1000+34.25 грн
1500+32.29 грн
4500+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R360PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ips60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf SP003965460
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R360PFD7SAKMA1 IPS60R360PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ips60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R360PFD7SAKMA1 IPS60R360PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ips60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R360PFD7SAKMA1 IPS60R360PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPS60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2294ceeb6794 Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.