на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.66 грн |
| 10+ | 52.79 грн |
| 100+ | 34.28 грн |
| 500+ | 27.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies
Description: CONSUMER, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPS60R3K4CEAKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS60R3K4CEAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 4-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPS60R3K4CEAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |