Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPS60R3K4CEAKMA1

IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPS60R3K4CE-DS-v02_00-EN-1731974.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.34 грн
10+50.00 грн
100+32.47 грн
500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies

Description: CONSUMER, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube, FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції IPS60R3K4CEAKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPS60R3K4CEAKMA1 IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87 Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87
IPS60R3K4CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.