IPS60R600PFD7SAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R600PFD7SAKMA1 - IPS60R600PFD7S 600V COOLMOS PFD7 SUPERJ
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 742+ | 34.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS60R600PFD7SAKMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPS60R600PFD7SAKMA1 за ціною від 24.07 грн до 70.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon |
Mosfet, N-Ch, 600V, 6A IPS60R600PFD7SAKMA1 IPS60R600PFD7S TIPS60r600pfd7s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP004748880 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IPS60R600PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPS60R600PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPS60R600PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |