Продукція > INFINEON > IPS60R600PFD7SAKMA1
IPS60R600PFD7SAKMA1

IPS60R600PFD7SAKMA1 INFINEON

3163578.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS60R600PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 31W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.49 грн
19+ 39.62 грн
100+ 31.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS60R600PFD7SAKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPS60R600PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 31W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPS60R600PFD7SAKMA1 за ціною від 21.9 грн до 64.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPS60R600PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPS60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2294e27e6797 Mosfet, N-Ch, 600V, 6A IPS60R600PFD7SAKMA1 IPS60R600PFD7S TIPS60r600pfd7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPS60R600PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPS60R600PFD7S_DataSheet_v02_00_EN-3165276.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.49 грн
10+ 52.44 грн
100+ 35.45 грн
500+ 30.04 грн
1000+ 24.43 грн
1500+ 23.03 грн
4500+ 21.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPS60R600PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ips60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf SP004748880
товар відсутній
IPS60R600PFD7SAKMA1 IPS60R600PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ips60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
IPS60R600PFD7SAKMA1 IPS60R600PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ips60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
IPS60R600PFD7SAKMA1 IPS60R600PFD7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPS60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2294e27e6797 Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товар відсутній