Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPS60R800CEAKMA1
IPS60R800CEAKMA1

IPS60R800CEAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPS60R800CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537f7a45772590 Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
899+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 899
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS60R800CEAKMA1 Infineon Technologies

Description: CONSUMER, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPS60R800CEAKMA1 за ціною від 21.19 грн до 67.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS60R800CEAKMA1 IPS60R800CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPS60R800CE_DS_v02_00_EN-1731877.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.73 грн
10+59.75 грн
100+35.41 грн
500+29.53 грн
1000+25.18 грн
1500+22.79 грн
4500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R800CEAKMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPS60R800CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537f7a45772590 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R800CEAKMA1 - CONSUMER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
866+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 866
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R800CEAKMA1 IPS60R800CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPS60R800CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537f7a45772590 Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.