на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.77 грн |
| 10+ | 95.14 грн |
| 100+ | 63.92 грн |
| 500+ | 52.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS65R650CEAKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPS65R650CEAKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS65R650CEAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |