Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPS65R950C6AKMA1
IPS65R950C6AKMA1

IPS65R950C6AKMA1 Infineon Technologies

DS_IPS65R950C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e81a77f502f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 488448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
568+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS65R950C6AKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPS65R950C6AKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS65R950C6AKMA1 IPS65R950C6AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPS65R950C6-DS-v02_00-en-1026505.pdf MOSFET N-Ch 700V 4.5A IPAK-3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R950C6AKMA1 IPS65R950C6AKMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPS65R950C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e81a77f502f Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.