IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 46.35 грн |
| 32+ | 26.43 грн |
| 100+ | 23.22 грн |
| 500+ | 18.35 грн |
| 1000+ | 15.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPS70R1K4P7SAKMA1 за ціною від 13.50 грн до 60.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 52629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPS70R1K4P7S THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |