на замовлення 22473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.65 грн |
| 20+ | 15.62 грн |
| 100+ | 13.45 грн |
| 500+ | 13.39 грн |
| 1500+ | 13.19 грн |
| 4500+ | 12.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm.
Інші пропозиції IPS70R1K4P7SAKMA1 за ціною від 14.15 грн до 51.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; IPAK SL Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2.5A Power dissipation: 22.7W Case: IPAK SL Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 4.7nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; IPAK SL Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2.5A Power dissipation: 22.7W Case: IPAK SL Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 4.7nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |