IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.42 грн |
| 75+ | 16.48 грн |
| 150+ | 15.88 грн |
| 525+ | 14.79 грн |
| 1050+ | 14.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPS70R1K4P7SAKMA1 за ціною від 13.10 грн до 52.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 33516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IPS70R1K4P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPS70R1K4P7S THT N channel transistors |
товару немає в наявності |