Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPS70R1K4P7SAKMA1
IPS70R1K4P7SAKMA1

IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPS70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf89d1e10db1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.05 грн
75+15.43 грн
150+14.87 грн
525+13.85 грн
1050+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 16 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPS70R1K4P7SAKMA1 за ціною від 12.36 грн до 70.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPS70R1K4P7SAKMA1 IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies 92infineon-ips70r1k4p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a0158c.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+61.11 грн
349+40.82 грн
375+37.97 грн
377+36.50 грн
500+28.50 грн
1000+25.83 грн
1500+25.73 грн
3000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPS70R1K4P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+70.48 грн
10+43.14 грн
100+33.28 грн
500+22.96 грн
1000+14.26 грн
1500+13.24 грн
4500+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON 2362694.pdf Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 92infineon-ips70r1k4p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a0158c.pdf
IPS70R1K4P7SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
233+61.11 грн
349+40.82 грн
375+37.97 грн
377+36.50 грн
500+28.50 грн
1000+25.83 грн
1500+25.73 грн
3000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon_IPS70R1K4P7S_DS_v02_01_EN.pdf
IPS70R1K4P7SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.48 грн
10+43.14 грн
100+33.28 грн
500+22.96 грн
1000+14.26 грн
1500+13.24 грн
4500+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 2362694.pdf
IPS70R1K4P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.