IPS70R360P7SAKMA1

IPS70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies


1989162070996134infineon-ips70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a0158c.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
359+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 359
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPS70R360P7SAKMA1 за ціною від 23.27 грн до 101.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 1989162070996134infineon-ips70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a0158c.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPS70R360P7S_DS_v02_01_EN-3362604.pdf MOSFETs N
на замовлення 16440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.02 грн
10+49.89 грн
100+35.94 грн
500+32.57 грн
1000+29.13 грн
1500+27.87 грн
4500+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 1989162070996134infineon-ips70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a0158c.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+87.18 грн
164+79.38 грн
202+64.54 грн
216+58.27 грн
500+53.76 грн
1000+45.85 грн
1500+44.55 грн
3000+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 Виробник : INFINEON infineon-ips70r360p7s-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.18 грн
16+52.01 грн
100+25.80 грн
500+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ips70r360p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 1989162070996134infineon-ips70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a0158c.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 1989162070996134infineon-ips70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a0158c.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPS70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.