IPS70R900P7SAKMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 48.73 грн |
| 20+ | 41.28 грн |
| 100+ | 26.86 грн |
| 500+ | 21.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS70R900P7SAKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30.5W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm.
Інші пропозиції IPS70R900P7SAKMA1 за ціною від 18.25 грн до 54.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPS70R900P7SAKMA1 Код товару: 156248
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 6A Power dissipation: 30.5W Case: TO251 On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |