IPS70R900P7SAKMA1


infineon-ips70r900p7s-ds-en.pdf
Код товару: 156248
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPS70R900P7SAKMA1 за ціною від 15.95 грн до 84.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPS70R900P7SAKMA1 IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPS70R900P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+84.53 грн
10+51.31 грн
100+29.34 грн
500+23.10 грн
1000+20.24 грн
1500+17.83 грн
4500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 IPS70R900P7SAKMA1 INFINEON 2577580.pdf Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 Infineon_IPS70R900P7S_DS_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.53 грн
10+51.31 грн
100+29.34 грн
500+23.10 грн
1000+20.24 грн
1500+17.83 грн
4500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 2577580.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.