на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.45 грн |
| 10+ | 65.91 грн |
| 100+ | 46.64 грн |
| 500+ | 39.80 грн |
| 1000+ | 32.81 грн |
| 1500+ | 27.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IPS80R1K4P7AKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS80R1K4P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPS80R1K4P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |