Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPS80R2K4P7AKMA1
IPS80R2K4P7AKMA1

IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPS80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ced92d89f1179
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
848+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 848 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 848 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V, Power Dissipation (Max): 22W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPS80R2K4P7AKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPS80R2K4P7AKMA1 IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ced92d89f1179 Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K4P7AKMA1 IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPS80R2K4P7_DataSheet_v02_02_EN-3165341.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon-IPS80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ced92d89f1179
IPS80R2K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon_IPS80R2K4P7_DataSheet_v02_02_EN-3165341.pdf
IPS80R2K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.