Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPS80R900P7AKMA1
IPS80R900P7AKMA1

IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPS80R900P7AKMA1 за ціною від 35.74 грн до 105.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+58.88 грн
22+49.17 грн
61+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPS80R900P7_DataSheet_v02_02_EN-3362747.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.32 грн
10+57.14 грн
100+45.72 грн
500+43.45 грн
1000+39.85 грн
1500+37.58 грн
4500+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ips80r900p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.