IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPSA70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d49d8871342
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1320+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 1320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1320 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 22.7W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm.

Інші пропозиції IPSA70R1K4P7SAKMA1 за ціною від 32.47 грн до 70.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPSA70R1K4P7SAKMA1 IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPSA70R1K4P7S-DS-v02_01-EN-1275038.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 760 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+70.82 грн
10+61.65 грн
100+41.10 грн
500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4P7SAKMA1 IPSA70R1K4P7SAKMA1 INFINEON 2577432.pdf Description: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22.7W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon-IPSA70R1K4P7S-DS-v02_01-EN-1275038.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
на замовлення 760 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.82 грн
10+61.65 грн
100+41.10 грн
500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4P7SAKMA1 2577432.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22.7W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.