IPSA70R2K0P7SAKMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPSA70R2K0P7SAKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17.6W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPSA70R2K0P7SAKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPSA70R2K0P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPSA70R2K0P7SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
MOSFET CONSUMER
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



