| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.30 грн |
| 10+ | 54.72 грн |
| 100+ | 37.07 грн |
| 500+ | 31.35 грн |
| 1000+ | 25.50 грн |
| 1500+ | 24.04 грн |
| 4500+ | 22.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPSA70R450P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPSA70R450P7SAKMA1 за ціною від 24.74 грн до 91.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPSA70R450P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V |
на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|