IPSA70R450P7SAKMA1

IPSA70R450P7SAKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPSA70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9c48ab1387 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.48 грн
10+52.47 грн
100+40.86 грн
500+32.50 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPSA70R450P7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPSA70R450P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPSA70R450P7SAKMA1 за ціною від 24.66 грн до 72.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPSA70R450P7SAKMA1 IPSA70R450P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPSA70R450P7S_DS_v02_01_EN-3165425.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.40 грн
10+58.87 грн
100+39.87 грн
500+33.73 грн
1000+27.43 грн
1500+25.86 грн
4500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SAKMA1 IPSA70R450P7SAKMA1 Виробник : INFINEON 2577435.pdf Description: INFINEON - IPSA70R450P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SAKMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPSA70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9c48ab1387 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R450P7SAKMA1 - IPSA70R450 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
742+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 742
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SAKMA1 IPSA70R450P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 2360412612311697infineon-ipsa70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.