Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPSA70R600CEAKMA1
IPSA70R600CEAKMA1

IPSA70R600CEAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPSA70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c99b2654f5 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
729+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPSA70R600CEAKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPSA70R600CEAKMA1 за ціною від 36.06 грн до 36.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPSA70R600CEAKMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPSA70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c99b2654f5 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R600CEAKMA1 - IPSA70R600 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
703+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 703
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600CEAKMA1 IPSA70R600CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 37infineon-ipsa70r600ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46257fa4a9c01580.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600CEAKMA1 IPSA70R600CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c99b2654f5 Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R600CE-DS-v02_00-EN-1509459.pdf MOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.