Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT004N03LATMA1
IPT004N03LATMA1

IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies

ipt004n03l_rev1.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+159.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: PG-HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPT004N03LATMA1 за ціною від 152.68 грн до 502 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+189.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+195.1 грн
4000+ 194.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+198.77 грн
4000+ 198.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+308.2 грн
25+ 290.46 грн
100+ 218.93 грн
500+ 165.35 грн
2000+ 152.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+366.59 грн
10+ 308.2 грн
25+ 290.46 грн
100+ 218.93 грн
500+ 165.35 грн
2000+ 152.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT004N03L_DS_v02_00_EN-1227267.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 11695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+378.18 грн
10+ 320.5 грн
25+ 267.49 грн
100+ 231.26 грн
250+ 229.94 грн
500+ 202.27 грн
1000+ 183.82 грн
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+390.56 грн
10+ 315.29 грн
100+ 255.06 грн
500+ 212.77 грн
1000+ 182.18 грн
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+425.45 грн
10+ 359.1 грн
25+ 349.73 грн
100+ 279.53 грн
250+ 256.24 грн
500+ 221.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+458.17 грн
31+ 376.63 грн
100+ 301.03 грн
250+ 275.95 грн
500+ 238.29 грн
Мінімальне замовлення: 26
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+502 грн
28+ 425.62 грн
50+ 323.43 грн
100+ 310.91 грн
200+ 271.95 грн
500+ 229.6 грн
1000+ 223.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359 		IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Case: PG-HSOF-8
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2kA
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4mΩ
Drain current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Case: PG-HSOF-8
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2kA
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4mΩ
Drain current: 300A
товар відсутній