Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPT004N03LATMA1

IPT004N03LATMA1

IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2
Код товару: 161359
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPT004N03LATMA1 за ціною від 187.22 грн до 503.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+225.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+226.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.90 грн
10+297.03 грн
50+234.58 грн
100+201.28 грн
500+187.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.99 грн
10+351.65 грн
100+255.06 грн
500+211.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+503.99 грн
41+351.65 грн
100+255.06 грн
500+211.89 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT004N03L_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 ipt004n03l_rev1.2.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+225.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 ipt004n03l_rev1.2.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+226.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2
IPT004N03LATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.90 грн
10+297.03 грн
50+234.58 грн
100+201.28 грн
500+187.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 ipt004n03l_rev1.2.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+503.99 грн
10+351.65 грн
100+255.06 грн
500+211.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 ipt004n03l_rev1.2.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+503.99 грн
41+351.65 грн
100+255.06 грн
500+211.89 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 Infineon_IPT004N03L_DS_v02_00_EN.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.