Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT004N03LATMA1
IPT004N03LATMA1

IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies

IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+137.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: PG-HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT004N03LATMA1 за ціною від 142.12 грн до 345.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+159.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+170.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+183.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+200.67 грн
500+171.33 грн
1000+142.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+209.84 грн
61+201.84 грн
100+195.00 грн
250+182.33 грн
500+164.23 грн
1000+153.80 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.73 грн
10+228.97 грн
100+169.16 грн
500+152.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+330.27 грн
50+256.61 грн
100+237.18 грн
200+193.18 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+340.12 грн
10+267.84 грн
100+200.67 грн
500+171.33 грн
1000+142.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT004N03L-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.76 грн
10+251.91 грн
25+209.20 грн
100+160.69 грн
250+158.42 грн
500+151.60 грн
1000+150.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359
Додати до обраних Обраний товар

IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60454DEB0411C&compId=IPT004N03L-DTE.pdf?ci_sign=ef66a83d0f89948fa0e0107be067086fb28ef786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60454DEB0411C&compId=IPT004N03L-DTE.pdf?ci_sign=ef66a83d0f89948fa0e0107be067086fb28ef786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.