Інші пропозиції IPT004N03LATMA1 за ціною від 123.22 грн до 385.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: PG-HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V |
на замовлення 2581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT004N03LATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: PG-HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 6278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 300W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |