Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 195.11 грн до 829.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
на замовлення 41560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 22100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8-1 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 216nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |