IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 208.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 217.35 грн до 538.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm |
на замовлення 12683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 3730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
на замовлення 13453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 10335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 Код товару: 180783
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |