IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies


IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+209.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 218.92 грн до 542.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8730ds_ipt007n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+238.41 грн
4000+238.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+258.69 грн
4000+257.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
на замовлення 12683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+385.38 грн
100+333.37 грн
500+289.77 грн
1000+241.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+438.54 грн
40+314.53 грн
50+298.11 грн
100+272.42 грн
500+250.77 грн
1000+218.92 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 13453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.04 грн
10+313.12 грн
100+247.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+484.29 грн
50+342.75 грн
100+287.33 грн
500+255.72 грн
1000+227.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT007N06N_DataSheet_v02_03_EN-3362569.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 10335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.36 грн
10+358.36 грн
25+300.98 грн
100+244.73 грн
250+238.65 грн
500+219.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+506.29 грн
36+346.48 грн
100+262.20 грн
250+240.21 грн
500+224.41 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+542.46 грн
10+376.69 грн
25+371.23 грн
100+280.93 грн
250+257.37 грн
500+240.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783
Додати до обраних Обраний товар

IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8730ds_ipt007n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.