Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT007N06NATMA1
IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies

IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+200.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 205.89 грн до 520.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+221.52 грн
4000+220.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8730ds_ipt007n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+235.56 грн
4000+235.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
на замовлення 12683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+367.95 грн
100+318.29 грн
500+276.66 грн
1000+230.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 13453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.18 грн
10+298.96 грн
100+235.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+433.31 грн
40+310.78 грн
50+294.55 грн
100+269.17 грн
500+247.78 грн
1000+216.31 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+464.52 грн
10+322.56 грн
25+317.89 грн
100+240.57 грн
250+220.39 грн
500+205.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT007N06N_DataSheet_v02_03_EN-3362569.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 10335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.17 грн
10+342.15 грн
25+287.36 грн
100+233.66 грн
250+227.86 грн
500+209.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+500.25 грн
36+342.35 грн
100+259.07 грн
250+237.35 грн
500+221.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
на замовлення 12683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+520.99 грн
10+367.95 грн
100+318.29 грн
500+276.66 грн
1000+230.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783
Додати до обраних Обраний товар

IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8730ds_ipt007n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.