Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1

IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
Код товару: 180783
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 178.76 грн до 604.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+178.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 75121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.99 грн
10+307.95 грн
50+243.87 грн
100+209.53 грн
500+197.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+496.20 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon_ipt007n06n_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 18878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+178.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 75121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+474.99 грн
10+307.95 грн
50+243.87 грн
100+209.53 грн
500+197.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+495.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+496.20 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+604.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon_ipt007n06n_datasheet_en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 18878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT007N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT007N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.