Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 175.62 грн до 838.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
на замовлення 85800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 3730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
на замовлення 85800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 19854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 85800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 175.62 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 271.89 грн |
| 4000+ | 271.43 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 374.64 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 437.82 грн |
| 100+ | 340.58 грн |
| 500+ | 325.88 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 455.28 грн |
| 10+ | 362.65 грн |
| 25+ | 296.53 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 455.28 грн |
| 39+ | 362.65 грн |
| 48+ | 296.53 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 475.07 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 475.07 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 500.14 грн |
| 40+ | 358.72 грн |
| 50+ | 339.99 грн |
| 100+ | 310.68 грн |
| 500+ | 286.00 грн |
| 1000+ | 249.67 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 85800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 509.56 грн |
| 10+ | 331.18 грн |
| 100+ | 241.06 грн |
| 500+ | 216.46 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 838.42 грн |
| 10+ | 538.26 грн |
| 100+ | 420.90 грн |
| 500+ | 387.37 грн |
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT007N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





