Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1

IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
Код товару: 180783
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 198.65 грн до 844.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+198.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+377.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+440.77 грн
100+342.87 грн
500+328.07 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.34 грн
10+365.09 грн
25+298.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+458.34 грн
39+365.09 грн
48+298.52 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+478.27 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+478.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 41560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.89 грн
10+314.21 грн
100+234.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT007N06N_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 20823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.34 грн
10+331.51 грн
100+225.54 грн
500+215.68 грн
1000+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+554.23 грн
50+374.97 грн
100+292.74 грн
500+259.61 грн
1000+233.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+554.23 грн
50+374.97 грн
100+292.74 грн
500+259.61 грн
1000+233.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.06 грн
10+541.88 грн
100+423.73 грн
500+389.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+198.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+377.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+440.77 грн
100+342.87 грн
500+328.07 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+458.34 грн
10+365.09 грн
25+298.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+458.34 грн
39+365.09 грн
48+298.52 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+478.27 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+478.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 41560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+482.89 грн
10+314.21 грн
100+234.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 Infineon_IPT007N06N_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 20823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+521.34 грн
10+331.51 грн
100+225.54 грн
500+215.68 грн
1000+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT007N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+554.23 грн
50+374.97 грн
100+292.74 грн
500+259.61 грн
1000+233.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT007N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+554.23 грн
50+374.97 грн
100+292.74 грн
500+259.61 грн
1000+233.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+844.06 грн
10+541.88 грн
100+423.73 грн
500+389.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.