Продукція > INFINEON > IPT008N06NM5LFATMA1
IPT008N06NM5LFATMA1

IPT008N06NM5LFATMA1 INFINEON

Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0bc6601b5
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+421.02 грн
100+317.41 грн
500+287.86 грн
1000+260.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT008N06NM5LFATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 454A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm.

Інші пропозиції IPT008N06NM5LFATMA1 за ціною від 241.05 грн до 628.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0bc6601b5 Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
на замовлення 3337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.30 грн
10+328.94 грн
100+249.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 INFINEON Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0bc6601b5 Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+617.54 грн
10+421.02 грн
100+317.41 грн
500+287.86 грн
1000+260.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.23 грн
10+436.08 грн
100+306.60 грн
500+272.06 грн
1000+241.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0bc6601b5
IPT008N06NM5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
на замовлення 3337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+504.30 грн
10+328.94 грн
100+249.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0bc6601b5
IPT008N06NM5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+617.54 грн
10+421.02 грн
100+317.41 грн
500+287.86 грн
1000+260.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPT008N06NM5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+628.23 грн
10+436.08 грн
100+306.60 грн
500+272.06 грн
1000+241.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.