Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPT010N08NM5ATMA1

IPT010N08NM5ATMA1

Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e
Код товару: 220375
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPT010N08NM5ATMA1 за ціною від 230.21 грн до 752.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+242.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+342.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+343.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+488.29 грн
16000+448.35 грн
24000+419.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 9027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.32 грн
10+348.36 грн
100+254.21 грн
500+230.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+564.93 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+752.22 грн
50+525.42 грн
100+476.28 грн
200+366.32 грн
500+331.59 грн
1000+265.68 грн
2000+249.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT010N08NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 INFINEON 3208415.pdf Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 1050 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+242.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+342.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+343.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+488.29 грн
16000+448.35 грн
24000+419.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 9027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+534.32 грн
10+348.36 грн
100+254.21 грн
500+230.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+564.93 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 infineonipt010n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+752.22 грн
50+525.42 грн
100+476.28 грн
200+366.32 грн
500+331.59 грн
1000+265.68 грн
2000+249.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon_IPT010N08NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 3208415.pdf
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 1050 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.