Інші пропозиції IPT010N08NM5ATMA1 за ціною від 236.71 грн до 748.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPT010N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPT010N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPT010N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPT010N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPT010N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPT010N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPT010N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPT010N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPT010N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET > 60-80V |
на замовлення 3364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IPT010N08NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 1050 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 425A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 340.53 грн |
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 342.41 грн |
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 486.12 грн |
| 16000+ | 446.35 грн |
| 24000+ | 417.49 грн |
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 562.42 грн |
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 582.74 грн |
| 10+ | 379.63 грн |
| 50+ | 302.04 грн |
| 100+ | 260.01 грн |
| 500+ | 236.71 грн |
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 704.68 грн |
| 29+ | 499.72 грн |
| 100+ | 397.78 грн |
| 500+ | 376.38 грн |
| 1000+ | 346.52 грн |
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 728.80 грн |
| 10+ | 516.84 грн |
| 100+ | 411.40 грн |
| 500+ | 389.27 грн |
| 1000+ | 358.38 грн |
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 748.88 грн |
| 50+ | 523.08 грн |
| 100+ | 474.16 грн |
| 200+ | 364.69 грн |
| 500+ | 330.12 грн |
| 1000+ | 264.50 грн |
| 2000+ | 248.86 грн |
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT010N08NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 1050 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 1050 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







