IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: PG-HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPT012N08N5ATMA1 за ціною від 205.00 грн до 601.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT012N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPT012N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPT012N08N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 279A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 178nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPT012N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V |
на замовлення 17322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPT012N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPT012N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPT012N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8 |
на замовлення 6658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPT012N08N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: PG-HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT012N08N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 293.13 грн |
| IPT012N08N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 294.77 грн |
| IPT012N08N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 441.09 грн |
| 10+ | 368.13 грн |
| 100+ | 340.77 грн |
| 500+ | 325.01 грн |
| 1000+ | 292.68 грн |
| IPT012N08N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 17322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 489.74 грн |
| 10+ | 317.66 грн |
| 100+ | 230.57 грн |
| 500+ | 205.00 грн |
| IPT012N08N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 601.00 грн |
| 10+ | 406.16 грн |
| 100+ | 354.65 грн |
| 500+ | 315.66 грн |
| 1000+ | 284.79 грн |
| IPT012N08N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 601.00 грн |
| 35+ | 406.16 грн |
| 100+ | 354.65 грн |
| 500+ | 315.66 грн |
| 1000+ | 284.79 грн |
| IPT012N08N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8
MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8
на замовлення 6658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT012N08N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)