Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT012N08N5ATMA1
IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+208.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: PG-HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPT012N08N5ATMA1 за ціною від 188.89 грн до 651.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT012N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+451.35 грн
10+376.69 грн
100+348.69 грн
500+332.57 грн
1000+299.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT012N08N5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.82 грн
10+336.38 грн
100+214.27 грн
500+202.28 грн
1000+195.94 грн
2000+188.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9 Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 18472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.70 грн
10+371.17 грн
100+269.40 грн
500+212.13 грн
1000+206.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001301515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+651.26 грн
50+434.17 грн
100+350.30 грн
500+290.15 грн
1000+257.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5-DTE.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+451.35 грн
10+376.69 грн
100+348.69 грн
500+332.57 грн
1000+299.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 Infineon_IPT012N08N5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+509.82 грн
10+336.38 грн
100+214.27 грн
500+202.28 грн
1000+195.94 грн
2000+188.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 18472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+571.70 грн
10+371.17 грн
100+269.40 грн
500+212.13 грн
1000+206.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 INFN-S-A0001301515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+651.26 грн
50+434.17 грн
100+350.30 грн
500+290.15 грн
1000+257.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.