Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT012N08N5ATMA1
IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+184.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

Інші пропозиції IPT012N08N5ATMA1 за ціною від 204.43 грн до 639.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt012n08n5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+273.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt012n08n5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+277.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT012N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+368.30 грн
10+297.13 грн
50+282.73 грн
100+275.96 грн
250+267.50 грн
500+259.88 грн
1000+257.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9 Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 15599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.15 грн
10+316.78 грн
50+251.06 грн
100+215.78 грн
500+204.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt012n08n5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+618.24 грн
34+420.75 грн
50+363.19 грн
100+314.05 грн
500+266.48 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt012n08n5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.41 грн
10+435.16 грн
50+375.62 грн
100+324.80 грн
500+275.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9 MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001301515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001301515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 infineonipt012n08n5datasheetv0204en.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+273.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 infineonipt012n08n5datasheetv0204en.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+277.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5-DTE.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+368.30 грн
10+297.13 грн
50+282.73 грн
100+275.96 грн
250+267.50 грн
500+259.88 грн
1000+257.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 15599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.15 грн
10+316.78 грн
50+251.06 грн
100+215.78 грн
500+204.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 infineonipt012n08n5datasheetv0204en.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+618.24 грн
34+420.75 грн
50+363.19 грн
100+314.05 грн
500+266.48 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 infineonipt012n08n5datasheetv0204en.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+639.41 грн
10+435.16 грн
50+375.62 грн
100+324.80 грн
500+275.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 INFN-S-A0001301515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 INFN-S-A0001301515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.