Продукція > INFINEON > IPT012N08NF2SATMA1
IPT012N08NF2SATMA1

IPT012N08NF2SATMA1 INFINEON


3812018.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+234.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT012N08NF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 351A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPT012N08NF2SATMA1 за ціною від 155.85 грн до 476.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT012N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef4b081b20f7 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.53 грн
10+280.58 грн
100+202.68 грн
500+155.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 Виробник : INFINEON 3812018.pdf Description: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+447.61 грн
10+324.42 грн
100+234.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT012N08NF2S_DataSheet_v02_01_EN-3107395.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.62 грн
10+325.84 грн
25+276.75 грн
100+204.27 грн
500+178.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt012n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT012N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef4b081b20f7 MOSFET N-Channel 80 V 39A PG-HSOF-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt012n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT012N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef4b081b20f7 Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.