Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT014N08NM5ATMA1
IPT014N08NM5ATMA1

IPT014N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT014N08NM5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b7718ecc5c69 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.81 грн
10+ 334.78 грн
100+ 270.8 грн
500+ 225.9 грн
1000+ 193.43 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT014N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPT014N08NM5ATMA1 за ціною від 199.62 грн до 450.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT014N08NM5ATMA1 IPT014N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT014N08NM5_DataSheet_v01_00_EN-2237799.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.19 грн
10+ 372.36 грн
25+ 314.45 грн
100+ 261.7 грн
250+ 253.69 грн
500+ 233 грн
1000+ 199.62 грн
IPT014N08NM5ATMA1 IPT014N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt014n08nm5-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT014N08NM5ATMA1 IPT014N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT014N08NM5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b7718ecc5c69 Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
товар відсутній