Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPT015N10N5ATMA1 транзистор

IPT015N10N5ATMA1 транзистор

Код товару: 224134
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPT015N10N5ATMA1 транзистор за ціною від 162.51 грн до 589.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+162.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+237.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+237.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+270.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+274.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+291.88 грн
500+276.45 грн
1000+261.03 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 17261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+291.88 грн
500+276.45 грн
1000+261.03 грн
10000+236.83 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 21611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+291.88 грн
500+276.45 грн
1000+261.03 грн
10000+236.83 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 38146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.42 грн
10+284.70 грн
50+224.89 грн
100+192.99 грн
500+179.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+569.60 грн
38+377.97 грн
50+337.10 грн
100+272.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+589.09 грн
10+390.91 грн
50+348.64 грн
100+281.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipt015n10n5_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
на замовлення 43077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+162.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+237.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+237.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+270.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+274.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+291.88 грн
500+276.45 грн
1000+261.03 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 17261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+291.88 грн
500+276.45 грн
1000+261.03 грн
10000+236.83 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 21611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+291.88 грн
500+276.45 грн
1000+261.03 грн
10000+236.83 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 38146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+440.42 грн
10+284.70 грн
50+224.89 грн
100+192.99 грн
500+179.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+569.60 грн
38+377.97 грн
50+337.10 грн
100+272.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+589.09 грн
10+390.91 грн
50+348.64 грн
100+281.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineon_ipt015n10n5_datasheet_en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
на замовлення 43077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 3961671.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 3961671.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.