IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 240.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPT015N10N5ATMA1 за ціною від 231.69 грн до 545.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT015N10N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 13227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT015N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V |
на замовлення 7923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT015N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 300A HSOF-8 |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT015N10N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 13227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT015N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPT015N10N5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W Mounting: SMD Kind of package: tape Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 169nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2kA Case: PG-HSOF-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 243A On-state resistance: 1.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPT015N10N5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W Mounting: SMD Kind of package: tape Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 169nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2kA Case: PG-HSOF-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 243A On-state resistance: 1.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |