Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT015N10N5ATMA1
IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+166.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPT015N10N5ATMA1 за ціною від 183.66 грн до 611.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+265.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+270.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+272.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+272.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+289.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+444.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.29 грн
10+290.86 грн
100+210.11 грн
500+183.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+607.22 грн
10+398.05 грн
100+335.06 грн
500+281.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+611.41 грн
36+400.80 грн
100+337.37 грн
500+283.77 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT015N10N5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
на замовлення 33348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+265.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+270.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+272.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+272.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+289.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+444.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+450.29 грн
10+290.86 грн
100+210.11 грн
500+183.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+607.22 грн
10+398.05 грн
100+335.06 грн
500+281.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+611.41 грн
36+400.80 грн
100+337.37 грн
500+283.77 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon_IPT015N10N5_DataSheet_v02_04_EN.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
на замовлення 33348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 3961671.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 3961671.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.