Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT015N10N5ATMA1
IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+167.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Інші пропозиції IPT015N10N5ATMA1 за ціною від 185.30 грн до 567.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+236.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+236.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+270.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+270.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 21611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+290.59 грн
500+275.23 грн
1000+259.88 грн
10000+235.79 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 17261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+290.59 грн
500+275.23 грн
1000+259.88 грн
10000+235.79 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+290.59 грн
500+275.23 грн
1000+259.88 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+387.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.33 грн
10+293.46 грн
100+212.00 грн
500+185.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.46 грн
10+366.37 грн
100+282.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+567.46 грн
39+366.37 грн
100+282.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT015N10N5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
на замовлення 28639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+236.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+236.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+270.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+270.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 21611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+290.59 грн
500+275.23 грн
1000+259.88 грн
10000+235.79 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 17261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+290.59 грн
500+275.23 грн
1000+259.88 грн
10000+235.79 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+290.59 грн
500+275.23 грн
1000+259.88 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+387.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+454.33 грн
10+293.46 грн
100+212.00 грн
500+185.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+567.46 грн
10+366.37 грн
100+282.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+567.46 грн
39+366.37 грн
100+282.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon_IPT015N10N5_DataSheet_v02_04_EN.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
на замовлення 28639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 3961671.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 3961671.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.