Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPT015N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5213939-3
Price: 290200 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	145.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT015N10N5ATMA1 за ціною від 140.06 грн до 379.37 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-ipt015n10n5-datasheet-v02_04-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	158.99 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	171.22 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	171.48 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	181.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 9713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
139+	219.62 грн
500+	210.47 грн
1000+	199.28 грн

Мінімальне замовлення: 139

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

879479525427159dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a75e5f.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	236.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	278.95 грн
100+	238.51 грн
500+	177.79 грн
1000+	140.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
41+	298.87 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	301.29 грн
10+	290.04 грн
25+	278.86 грн
100+	258.12 грн
250+	228.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
38+	324.47 грн
40+	312.35 грн
41+	300.31 грн
100+	277.97 грн
250+	246.56 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 4095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	342.20 грн
10+	244.00 грн
100+	200.73 грн
500+	160.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 10157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	376.33 грн
10+	278.95 грн
100+	238.51 грн
500+	177.79 грн
1000+	140.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPT015N10N5_DataSheet_v02_04_EN-3362538.pdf

MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8

на замовлення 9210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	379.37 грн
10+	277.50 грн
25+	219.23 грн
100+	189.81 грн
250+	185.39 грн
500+	161.11 грн
1000+	155.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAD7554B3411C&compId=IPT015N10N5-DTE.pdf?ci_sign=81070ebcf3bdd89d929519f2630c51174d0da1da

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.