IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 152.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 315A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Інші пропозиції IPT015N10NF2SATMA1 за ціною від 145.11 грн до 611.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 264600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 4568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 4570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V |
на замовлення 6331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPT015N10NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 315A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 315A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 167.13 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 176.75 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 176.75 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 236.07 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 253.89 грн |
| 500+ | 240.46 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 253.89 грн |
| 500+ | 240.46 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 264600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 294.75 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 303.21 грн |
| 62+ | 237.82 грн |
| 63+ | 235.47 грн |
| 100+ | 181.70 грн |
| 500+ | 151.95 грн |
| 1800+ | 145.11 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 307.64 грн |
| 10+ | 241.27 грн |
| 50+ | 238.91 грн |
| 100+ | 184.34 грн |
| 500+ | 154.16 грн |
| 1800+ | 147.22 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 410.36 грн |
| 52+ | 282.73 грн |
| 100+ | 200.96 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 426.91 грн |
| 10+ | 274.70 грн |
| 50+ | 216.17 грн |
| 100+ | 185.21 грн |
| 500+ | 169.23 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 499.44 грн |
| 10+ | 322.72 грн |
| 100+ | 206.90 грн |
| 500+ | 183.58 грн |
| 1000+ | 162.51 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 611.47 грн |
| 10+ | 407.65 грн |
| 50+ | 320.30 грн |
| 100+ | 281.73 грн |
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT015N10NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)