IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 111.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 315A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPT015N10NF2SATMA1 за ціною від 113.89 грн до 321.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 315A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 315A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPT015N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
товару немає в наявності |