Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT017N10NF2SATMA1
IPT017N10NF2SATMA1

IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef8585e621b3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+118.22 грн
5400+111.88 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 294A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

Інші пропозиції IPT017N10NF2SATMA1 за ціною від 121.35 грн до 383.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+208.82 грн
500+198.15 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.92 грн
77+185.32 грн
80+178.29 грн
100+150.03 грн
500+121.35 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.12 грн
10+188.02 грн
50+180.89 грн
100+152.21 грн
500+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef8585e621b3 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 8165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.47 грн
10+218.96 грн
50+171.12 грн
100+146.14 грн
500+128.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.03 грн
50+272.02 грн
100+247.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon_ipt017n10nf2s_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+380.53 грн
10+195.12 грн
100+154.31 грн
500+136.03 грн
1000+128.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+383.93 грн
54+267.10 грн
58+248.33 грн
100+187.89 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 INFINEON 3812020.pdf Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 INFINEON 3812020.pdf Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+208.82 грн
500+198.15 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+219.92 грн
77+185.32 грн
80+178.29 грн
100+150.03 грн
500+121.35 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+223.12 грн
10+188.02 грн
50+180.89 грн
100+152.21 грн
500+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef8585e621b3
IPT017N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 8165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+342.47 грн
10+218.96 грн
50+171.12 грн
100+146.14 грн
500+128.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+348.03 грн
50+272.02 грн
100+247.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 infineon_ipt017n10nf2s_datasheet_en.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.53 грн
10+195.12 грн
100+154.31 грн
500+136.03 грн
1000+128.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 infineonipt017n10nf2sdatasheetv0201en.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+383.93 грн
54+267.10 грн
58+248.33 грн
100+187.89 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 3812020.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 3812020.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.