IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef8585e621b3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1800+100.09 грн
3600+92.35 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPT017N10NF2SATMA1 за ціною від 106.08 грн до 356.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef8585e621b3 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.93 грн
10+189.52 грн
100+133.51 грн
500+106.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.05 грн
10+230.20 грн
100+149.42 грн
500+124.75 грн
1000+115.59 грн
1800+108.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef8585e621b3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+298.93 грн
10+189.52 грн
100+133.51 грн
500+106.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N10NF2SATMA1 Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+356.05 грн
10+230.20 грн
100+149.42 грн
500+124.75 грн
1000+115.59 грн
1800+108.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.