Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT017N12NM6ATMA1
IPT017N12NM6ATMA1

IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT017N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a93a6538c Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.63 грн
10+289.90 грн
100+237.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V.

Інші пропозиції IPT017N12NM6ATMA1 за ціною від 172.89 грн до 482.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT017N12NM6_DataSheet_v02_00_EN-3084678.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.36 грн
10+334.18 грн
100+217.76 грн
500+207.46 грн
2000+172.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt017n12nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT017N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a93a6538c Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.