IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+115.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPT019N08N5ATMA1 за ціною від 109.95 грн до 336.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4 Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.34 грн
10+204.02 грн
100+144.97 грн
500+127.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT019N08N5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.32 грн
10+218.85 грн
100+134.62 грн
500+117.71 грн
2000+109.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1 Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+320.34 грн
10+204.02 грн
100+144.97 грн
500+127.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1 Infineon_IPT019N08N5_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+336.32 грн
10+218.85 грн
100+134.62 грн
500+117.71 грн
2000+109.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.