Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N10N3
IPT020N10N3

IPT020N10N3 Infineon Technologies

Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+417.22 грн
10+269.97 грн
100+173.32 грн
500+167.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT020N10N3 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 300A, Pulsed drain current: 1.2kA, Power dissipation: 375W, Case: HSOF-8, On-state resistance: 2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 156nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 3, Application: automotive industry, Semiconductor structure: single transistor.

Інші пропозиції IPT020N10N3 за ціною від 439.05 грн до 1012.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT020N10N3 IPT020N10N3 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1012.82 грн
25+966.06 грн
50+927.18 грн
100+862.55 грн
250+773.88 грн
500+722.57 грн
1000+705.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+623.91 грн
10+531.48 грн
30+499.29 грн
50+492.69 грн
60+442.35 грн
100+439.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+1012.82 грн
25+966.06 грн
50+927.18 грн
100+862.55 грн
250+773.88 грн
500+722.57 грн
1000+705.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+623.91 грн
10+531.48 грн
30+499.29 грн
50+492.69 грн
60+442.35 грн
100+439.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.