IPT020N10N3 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 1006.09 грн |
| 25+ | 959.65 грн |
| 50+ | 921.02 грн |
| 100+ | 856.83 грн |
| 250+ | 768.74 грн |
| 500+ | 717.78 грн |
| 1000+ | 700.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
15 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT020N10N3 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 300A, Pulsed drain current: 1.2kA, Power dissipation: 375W, Case: HSOF-8, On-state resistance: 2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 156nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 3, Application: automotive industry, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції IPT020N10N3 за ціною від 446.16 грн до 634.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT020N10N3 | Infineon Technologies |
 MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPT020N10N3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: HSOF-8 On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Application: automotive industry Semiconductor structure: single transistor |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPT020N10N3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT020N10N3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 634.02 грн |
| 10+ | 540.09 грн |
| 30+ | 507.38 грн |
| 50+ | 500.67 грн |
| 60+ | 449.52 грн |
| 100+ | 446.16 грн |