Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N10N3
IPT020N10N3

IPT020N10N3 Infineon Technologies

2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+1003.85 грн
25+957.51 грн
50+918.97 грн
100+854.92 грн
250+767.03 грн
500+716.18 грн
1000+698.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT020N10N3 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 300A, Pulsed drain current: 1.2kA, Power dissipation: 375W, Case: HSOF-8, On-state resistance: 2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 156nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 3, Application: automotive industry, Semiconductor structure: single transistor.

Інші пропозиції IPT020N10N3 за ціною від 451.19 грн до 640.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT020N10N3 IPT020N10N3 Infineon Technologies Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+640.87 грн
10+546.00 грн
30+512.99 грн
50+506.21 грн
60+454.58 грн
100+451.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3 Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en.pdf
IPT020N10N3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+640.87 грн
10+546.00 грн
30+512.99 грн
50+506.21 грн
60+454.58 грн
100+451.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.