Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPT020N10N3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 4571872-3
Price: 276900 UAH
Availability: InStock

IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	138.45 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT020N10N3ATMA1 за ціною від 117.77 грн до 389.34 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
80+	152.13 грн
81+	150.53 грн
82+	148.92 грн
100+	142.06 грн
250+	130.10 грн
500+	123.53 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 46000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	152.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	163.00 грн
10+	161.28 грн
25+	159.56 грн
100+	152.21 грн
250+	139.40 грн
500+	132.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
74+	164.30 грн
77+	158.04 грн
100+	152.68 грн
250+	142.76 грн
500+	128.59 грн
1000+	120.43 грн
2500+	117.77 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	195.94 грн
500+	172.49 грн
1000+	156.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	255.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	277.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
41+	298.79 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	332.08 грн
10+	232.12 грн
100+	195.01 грн
500+	167.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en-1731980.pdf

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	388.15 грн
10+	289.56 грн
25+	246.50 грн
100+	210.96 грн
500+	198.11 грн
1000+	188.28 грн
2000+	144.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 3056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	389.34 грн
10+	273.98 грн
100+	195.94 грн
500+	172.49 грн
1000+	156.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

IPT020N10N3ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.