Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N10N3ATMA1
IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies

2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+115.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT020N10N3ATMA1 за ціною від 123.47 грн до 408.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+123.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+139.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+162.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+173.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+177.81 грн
73+175.02 грн
74+172.22 грн
100+163.38 грн
250+148.78 грн
500+140.51 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+190.51 грн
10+187.52 грн
25+184.52 грн
100+175.05 грн
250+159.41 грн
500+150.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+205.45 грн
500+180.87 грн
1000+163.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+276.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+285.02 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+290.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 9574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.22 грн
10+242.40 грн
100+172.94 грн
500+154.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.80 грн
10+266.24 грн
25+222.00 грн
100+165.71 грн
500+157.78 грн
2000+133.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : INFINEON IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+408.24 грн
10+287.28 грн
100+205.45 грн
500+180.87 грн
1000+163.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.