Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N10N3ATMA1
IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies

2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+128.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції IPT020N10N3ATMA1 за ціною від 156.47 грн до 509.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+180.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+181.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+187.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.01 грн
10+194.90 грн
25+191.79 грн
100+181.94 грн
250+165.68 грн
500+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.01 грн
73+194.90 грн
74+191.79 грн
100+181.94 грн
250+165.68 грн
500+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 15865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+286.41 грн
1000+271.08 грн
10000+245.49 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 21550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+286.41 грн
1000+271.08 грн
10000+245.49 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+317.40 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+485.01 грн
43+330.68 грн
50+327.29 грн
100+259.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.61 грн
10+342.01 грн
50+338.49 грн
100+268.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+501.79 грн
43+332.63 грн
50+329.30 грн
100+243.80 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.10 грн
10+326.65 грн
50+258.30 грн
100+221.79 грн
500+196.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.10 грн
10+337.47 грн
50+334.10 грн
100+247.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+180.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+181.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+187.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+198.01 грн
10+194.90 грн
25+191.79 грн
100+181.94 грн
250+165.68 грн
500+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+198.01 грн
73+194.90 грн
74+191.79 грн
100+181.94 грн
250+165.68 грн
500+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 15865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+302.91 грн
500+286.41 грн
1000+271.08 грн
10000+245.49 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 21550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+302.91 грн
500+286.41 грн
1000+271.08 грн
10000+245.49 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+317.40 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+485.01 грн
43+330.68 грн
50+327.29 грн
100+259.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+501.61 грн
10+342.01 грн
50+338.49 грн
100+268.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+501.79 грн
43+332.63 грн
50+329.30 грн
100+243.80 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.10 грн
10+326.65 грн
50+258.30 грн
100+221.79 грн
500+196.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+509.10 грн
10+337.47 грн
50+334.10 грн
100+247.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.