IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 139.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPT020N10N3ATMA1 за ціною від 119.77 грн до 391.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |