Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N10N3ATMA1
IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies

2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT020N10N3ATMA1 за ціною від 122.05 грн до 364.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+122.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+125.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+165.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+176.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+180.69 грн
73+177.85 грн
74+175.01 грн
100+166.02 грн
250+151.19 грн
500+142.78 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+183.59 грн
500+161.62 грн
1000+146.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+193.60 грн
10+190.56 грн
25+187.51 грн
100+177.88 грн
250+161.99 грн
500+152.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+281.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+289.64 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.30 грн
10+211.65 грн
100+151.02 грн
500+135.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.89 грн
10+228.75 грн
100+142.37 грн
500+135.56 грн
2000+126.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : INFINEON IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.79 грн
10+256.70 грн
100+183.59 грн
500+161.62 грн
1000+146.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT020N10N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.